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这方面的书还是很多的.专业的论文可以上中国期刊网，不知道你们学校有没有帐号.以下有这关RF的书有：射频与微波功率放大器设计 微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧，以及将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。
这些方法提高了设计效率，缩短了设计周期。本书内容覆盖非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器、定向耦合器、高效率的功率放大器设计、宽带功率放大器及通信系统中的功率放大器设 。
射频与微波通信电路――分析与设计（第二版） 微波地面通信的基础上，对所采用的射频和微波电路的设计进行了分析与讨论。 本书有两个特点：一是注重实用，书中涉及的内容很广，包括一些难懂的理论和复杂的数学推导，作者深入浅出地以少量的数学分析给出了一些重要的物理概念和数学公式，并且着重于分析如何把它们应用于电路设计；另一个特点是便于自学。
书中包 。 微波技术 微波技术的基本概念、基本理论和基本分析方法，并结合当今微波技术发展的需要，对微波电路的相关基础知识作了较全面的介绍。
全书除绪论外共分8章，依次介绍了柱状导波系统中的电磁波及传输线理论、规则波导理论、微带及表面波波导、微波谐振器、微波网络理论基储微波滤波器及匹配电路、微波有源电路、微波铁氧体器件。？ 。
微波技术与微波电路 微波技术的基本理论、基本概念及微波元器件、微波电路的工作原理及运用。上述专业的本科生或大专生在学院无本教材后，能对微波技术有比较系统的了解及具有一定的解决工程技术问题的能力。
全书共分为10章，覆盖了微波技术主要方面的基本内容，它们是传输丝理论与技术、微波网络理论基储微波无源元器件、微波有源电路。在 。
微波技术基础与应用 微波网络基础，以此作为全书的理论基矗其次讲解基本无源部件，如微波谐振器、功分器、耦合器、滤波器和微波铁氧体器件上等的原理和工程设计。对于微波有源电路的设计，以及主要微波系统和应用，书中也作了简明介绍。
近年来微波技术中的一些新进展，如介质谐振器和开腔、YIG宽带电调谐、微波电路机辅设计，以及微波技术？ 。 射频和微波混合电路――基础、材料和工艺 微波集成电路（MMIC）的持续发展相呼应，混合微波集成电路（HMIC）的新材料和新工艺也有了很大发展。
本书首先对射频微波的基本概念作了简要介绍，比较了单片微波集成电路和混合微波集成电路的特点，讲述了作为射频微波基础元件的传输线和混合电路工艺的“波导”结构；然后从射频微波应用的角度对基础材料（导体、介质和 。 微波与卫星通信 微波和卫星通信两方面的内容，共分七章。
内容包括微波与卫星通信概述、信号的调制与解调、卫星通信中的多址技术、电波传播、编码与信号处理、微波与卫星线路噪声分析及线路参数计算。除此之外，还根据国际上以及我国在微波和卫星通信方面的现状与最新技术发展，介绍了SDH微波通信系统、卫星移动通信网和宽带IP卫星通信？ 。
微波技术与天线（第2版） 微波技术与天线的基本理论与基础知识。在编写时力求去繁就简，深入浅出，这样既保持了知识结构的完整性，也为非电磁场专业的学生或其他人员学习微波技术与天线知识提供一条简捷的通道。
全书共4章，第1章至第3章为微波技术部分，第4章为天线部分。主要内容有：长线理论、理想导波系统的一般理论分析、规则波导传输线、常 。
微波工程（第三版） 微波电路和器件，第13章描述了几种微波系统，以便于读者了解前面讲述的各种微波电路和器件的应用及其对系统特性的影响。在基本理论方面，既介绍了经典的电磁场理论，又叙述了现代微波工程中常用的分布电路和网络分析方法。
在微波电路和器件方面，除了介绍传统的线性微波电路及波导型器件外，为适应当前微波工程的需要， 。 微波工程（第三版）（英文版） 微波系统的第13章，因为这两章的内容介绍较为简单，且市面上有专箸论述。
第1章至第4章介绍了电磁场的基本理论和电路理论，第5章至第11章利用相关的概念阐明了各种微波电路和器件。在基本理论方面，本书介绍了经典的电磁场理论，叙述了现代微波工程中常用的分布电路和网络分析方法。
在微波电路和器件方面，增加了平面结？ 。 射频与微波电子学 微波电子工程专业高年级和研究生的教材，授课两学期。
本书主要内容分五部分共21章。第一部分基础知识，包括科学和工程学的基本概念，电学和电子工程学中的基本概念，电路学数学基础，直流和低频电路的概念；第二部分波在网络中的传输，包括射频和微波的基本概念与应用，射频电子学的概。
2.微波传输线振荡器的构成原理及电路 具体解释
微波传输特性的基础知识 “微波”通常是指波长在 — 的电磁波，对应的频率范围为： — ，它介于无线电波和红外线之间，又可分为分米波、厘米波、毫米波、亚毫米波。
微波与低频电磁波一样，具有电磁波的一切特性，但由于微波的波长较短、频率高因此又具有许多独特的性质，主要表现在：1、描述方法：由于电磁波的波长极短，与使用的元件和设备的尺寸可以相比拟，在低频段由于能量集中其传播性质用“路”的概念来描述，使用的元件称为集中参数元件（电阻、电容、电感等）；而微波的传播应利用“场”的概念来处理，使用的元件为分布参数元件（波导管、谐振腔等）。因此低频电路的电流、电压、电阻等不再适用，而是采用等效方法处理；微波测量则以功率、波长、阻抗取代了电流、电压、电阻等。
2 、产生方法：微波的周期在 — 与电子管内电子的渡越时间（约为 ）相近，因此微波的产生和放大不能再使用普通的电子器件，取而代之的是结构和原理完全不同的微电子元件——速调管、磁控管、行波管及微波固态器件。3、光似性：由于微波介于无线电波和红外线之间，因此不仅具有无线电波的性质同时具有光波的性质：以光速直线传播、反射、折射、干涉、衍射等。
4、能量强：由于微波的频率高，故可用频带宽、信息容量大，且能穿透大气层因此可广泛用于卫星通讯、卫星广播电视、宇宙通讯和射天天文学的研究。由于微波的这些特性，使微波在通信、雷达、导航、遥感、天文、气象、工业、农业、医疗、以及医学等方面得到广泛应用。
一、微波元件简介1. 固态振荡器（固态信号源）微波振荡器（信号源）是产生微波信号的装置，常见的有磁控管振荡器、速调管振荡器和固态振荡器几种。磁控管振荡器功率大体积大，常用来提供大功率信号；速调管振荡器结构简单、使用方便，但效率低一般只有0.5%—2.5%，输出功率小一般在，因此比较适合实验室使用。
固态振荡器则是一种较新型的信号源，可分为微波晶体管振荡器、体效应管振荡器、雪崩二极管振荡器等。固态振荡器振荡频率高最高振荡频率可达几百千兆；输出功率最大可达几十瓦以上，脉冲功率可达几千瓦；支流功率转换为微波功率较高，最高可达50%以上。
这里主要介绍实验室常用的由体效应二极管振荡器。1963年美国国际商业机器公司发现的 ，砷化镓和磷化铟等材料的薄层具有负阻特性，因而无需P-N接即可产生微波振荡，它的工作原理与通常由P-N节组成的半导体器件不同，它不是利用载流子在P—N内运动特性，而是利用载流子在半导体内的体内体内运动特性，是靠砷化镓材料“体”内的一种物理效应（负阻效应）所以称为体效二极管或耿氏管（Gun管）。
体效应二极管由截止式衰减器以及用来调制微波脉冲幅度的PIN调制器组成。实验室常用的3cm固态信号源的频率调节范围大约8.6一9.6GHz。
体效应振荡器是微波信号源的核心元件， I (A)它是利用具有负阻特性的半导体材料砷化镓制成的，由于砷化镓具有双能级结构，上、下两个能级差为0.36Mev；处于不同能级的电子具有不同的有效质量和不同的迁移率，其中上能级有效质量大迁移率小。当下导带电子的能量增加到0.36Mev时，下导带的电子就会被激发到上导带上去，使它在某一区域内呈现负阻特性，即出现起伏安特性曲线 图（1） U(V)如图（1）所示：由此可知体效应管内能够产生一个震荡电流，使砷化镓的厚度足够地小，体效应管可以产生类似脉冲尖峰的振荡波形，振荡频率很高，即产生微波信号。
典型的耿氏二极管如图所示：由铜螺纹（接到直流电源的负极上）、铜底座（外加散热器）、陶瓷圆环（绝缘作用）、金丝引线、砷化镓片子、顶帽（正极）组成，若将耿氏二极管安装在谐振腔的适当位置上，只要在它的两端加上直流电压，就可以在谐振腔内产生微波振荡，构成微波负阻振荡器。耿氏二极管的主要性能参数为：工作频率10GHz左右，工作电压10V，工作电流0.2—0.6A，输出功率0.03——0.1W，最大耐压能力14V。
2. 隔离器 是一种不可逆的衰减器，正向衰减较小，约0.1dB，反向衰减很大，可达几十dB，因此只允许微波单方向通过，对反方向传播微波呈电阻吸收。隔离器常用于振荡器与负载之间，起到隔离和单向传输作用。
隔离器一般由铁氧体材料制成，铁氧体是一种磁性材料，由二价的金属锰、镁、镍]铜、等氧化物和氧化铁烧制而成，它既具有磁性材料的导磁性，又具有较高的电阻率，一般可达 ，由于其电阻率很高，电磁场能够渗入内部起作用而损耗很小因此得到广泛应用。 隔离器 衰减器隔离器分为谐振式和场移式两种，谐振式功率较大，实验室常用场移式，它是在波导内的适当位置放置一片两端呈尖劈形（为了减少反射）铁氧体片，使其表面与波导窄面平行，表面附有吸收片（由石墨粉或镍铬合金制成）并外加恒定磁场制成。
在铁氧体内加上一个恒定磁场使铁氧体内的电子产生进动与此同时再加上与恒定磁场垂直的高频右旋或左旋极化磁场，由于这两种磁场与电子进动方向分别相同和相反，因此产生不同的磁导率 和 而且随恒定磁场的大小而变化，当铁氧体片的厚度、位置和磁场强度选取适当时，。
3.求正弦波振荡电路毕业论文（主要是讲RC正弦波振荡电路）
毕业论文格式 （1）论文要求一律用A4白纸打印； （2）封面：论文一律用统一封面 （3）任务书：毕业论文任务书内容包括论文要求、主要内容、进度安排等（格式见清华网格学堂/学生手册附件），其中，第二、三项由指导教师填写，其余内容由学生填写； （4）摘要：论文要有150-200字的摘要，并列出论文的关键词（中、英文对照）； （5）正文：论文正文打印格式及尺寸要求，版面尺寸为15CM*23CM，统一用小四号字体、1.5倍行间距打印； （7）参考文献：论文正文后须附参考文献，著明论文所依据的文献资料情况，文献著录格式主要有下列几种： 连续出版物：作者.文题.刊名，年，卷号（期号）：起~止页码 专（译）著：作者.书名（，译者）.出版地：出版者，出版年. 起~止页码 论 文 集：作者.文章标题：编者，文集名.出版地：出版者，出版年. 起~止页码 互联网资料：作者. 文章标题，完整网址，年代 （8）鸣谢：本页内，学生可以表达对论文指导教师和在论文写在过程中给予帮助和支持的其他人的感谢。
正弦振荡电路 在电子工程中，常常用到正弦信号，作为信号的源的振荡电路，主要的要求是频率准确度高、频率稳定性好、波形失真小和振幅稳定度高等，但对高频能源的振荡电路有以下几种： （1）LC振荡电路：它适用于几十千赫至几百兆赫的频率范围（高频率和超高频） （2）RC振荡电路：适用于声频和超声频范围（从几赫至1赫） （3）晶体振荡电路：用于生产频率稳定度较高的振荡电路，频率低于3千赫时常用音叉振荡电路代替，而频率高于几十兆赫时常用泛音晶体振荡电路，随着集成化技术的发展，已有多种晶体振荡器的集成电路，如国产的ZWB-1和ZWB-2型等。 相位和振幅平衡条件： 反馈式的振荡电路主要是由基本放大器和反馈网络组成，如图91所示，因此，振荡电路实际上是一个闭环的正反馈电路，其闭环增益为： Kf=Uf/Ui=KF= 要使电路产生振荡，则必须反馈电压Uf和输入电压Ui同相，所以本位平衡条件为 Φk+Φf=2nπ------------------------------------式一 （n=0,1,2，。
.. 而且，要求|Uf|≥|Ui|，所以振幅平衡条件为： KF≥1-----------------------------------------式二 如果满足了这两个平衡条件，则电路产生振荡，由于振荡器的晶体管工作在非线性区域，所以包含了丰富的谐波成分，而只有某一频率才能满足上述的两个平衡条件，从而产生了单一频率的正弦振荡。
图1 图2 一、变压器反馈式振荡电路 图2(a)为变压器反馈振荡电路，其正反馈过程是：若输入Ui为上正下负，对于振荡频率，回路谐振的并联阻抗为电阻性，所以输出电压Uo与Ui反相，即Uo为上负下正，由于同名端决定了Uf为上正下负，Uf正好与Ui同相，只要晶体管的β足够大和变压器的匝数比合适，电路一定能够振荡，还可以证明电路的起振条件和振荡频率分别为： β≥rbeRC/M------------------------式3 f≈1/2π-----------------------式4 式中：rbe为基极与射极度之间的交流等效电阻，R为次级折算到初级的等效电阻，M为互感系数。 二、三点式振荡电路 1、三点式电路相位条件的判别法 图3(a)为三点式振荡器的交流等效电路，从相平衡条件可以推论出：凡与晶体管发射极相接的电抗Xbe、Xce应性质相同，而不与发射极连接的另一电抗元件，Xcb的性质应与前两者相反。
可以从相量图来检查上述结论的正确性，设Xbe、Xce为容性，Xcb为感性；因振荡时回路谐振于振荡频率，回路呈电阻性：所以Uo、Ui反相及Ic、IL反相；又因Xbe、Xce为容性，故IC比UO超前90度。因Xcb为感性，所以Uf比IL滞后90度，其相量图如图3(b)示，从图可见，Uf与Ui同相，上述结果得到证明。
图3 图4 2、电容三点振荡电路（考毕兹电路） 图4(a)为三点振荡电路及其交流等效电路，从图4(b)看出，与发射极相接为电容，集电极与基极之间接电感，服从于共射三点振荡电路对电抗性的要求，故能振荡，该电路的起振条件和振荡频率为： β≥C2/C1----------------------------------式5 f≈-（1）/ --------------------------式6 一般反馈系数F=C1/C2取0.5-0.01之间，由于该电路的输入端接电容，而容抗又随频率增加而减小，所以输入电压中的高次谐波分量将明显地受到抑制，使输出波形良好，该电路的缺点是：用调节电容来改变频率时，会使反馈系数改变，所以通常用改进型的电容三点振荡电路。
4.高频功放电路的毕业论文
射频识别电路中高频功放的设计王兴君1，殷兴光2，孙 瑜2，吴玮玮1，王宏刚1(1.陕西国防学院电路设计研究所 陕西西安 710302; 2.陕西科技大学电气与电子工程学院 陕西咸阳 712081)摘 要：分析了射频识别电路中高频功放的特点，在此基础上提出了一种新型的高频功放电路，并对他的工作原理进行了分析。
关键词：射频识别电路；高频功放；设计；谐振电路中图分类号： TN710 文献标识码： B 文章编号： 1004 373X (2004) 09 064 02Design of a High Frequency Power Amplification in the Radio Frequency Spot CircuitWANG Xingjun1, YIN Xingguang2, SUN Yu2, WU Weiwei1, WANG Honggang1(1.Circuits Design Institute of Shaanxi Institute of National Defence, Xi′an, 710302, China;2.Shaanxi University of Science &Technology, Xianyang, 712081, China)Abstract: This paper analysis the feature of high frequency power amplification in the radio frequency spot circuit, then gives anew kind of circuit on it and introduces its principle.Keywords: RFID; high frequency power amplification; design; resonance circuit收稿日期： 2003 12 29 射频识别技术是20世纪80年代初发展起来的一种先进的识别技术，经过十几年的发展，已在各行各业，尤其是电子信息行业得到了广泛的应用。射频识别是一种非接触式的自动识别技术，他通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无需人工干预，可工作于各种恶劣环境。
射频识别系统由阅读器和应答器（标签）构成。当他工作时，阅读器通过天线发送出一定频率的射频信号，当标签进入磁场时产生感应电流从而获得能量，发送出自身编码等信息被读取器读取并解码后送至电脑主机进行有关处理[1]。
高频功率放大器是阅读器的关键部件，主要功能是对标签信号的返回信号进行功率放大。1 工作原理图1为射频识别电路中的高频功率放大器原理框图。
13.56 MHz输入方波信号经功率放大器放大输出一个方波信号，再经过阻抗变换网络一部分在天线负载产生高频输出交流电压，从天线发射出去。另外一部分通过检波电路解调出有用信号输出[2]。
图1 高频功放原理框图图2为高频功率放大器的电路图。各项参数如下：VT1型号： 3DA106A VD型号2AP1VCC=9 VC1=0.01μF L=0.01μH R1=6 kΩC2=550 pF Lb=1.3μHC3=0.01μF LC1=1.3μHC4=0.01μF LC2=1.3μHC5=10 pF图2 高频功放电路图2 单元电路设计（1）选择丙类放大电路如图3所示。
高频谐振功率放大器电路可以工作在A类， B类或C类状态。相比之下C类谐振功放的失真虽不及A类和B类大，但C类适用于输入信号比较大、输出功率大、效率高，节约能源的环境下，因此，在大功率射频功放电路中经常使用[3]。
具体参数如下：①确定功率放大器最佳负载：设晶体管饱和电压为1 V，则：（VCC-VCE(SAT))22P0=(9 - 1)22*3 10.7Ω64，扼流圈的电感量应远大于放大器的等效负载，取：XLC≥10R0= 10*10.7 = 107ΩLC≥XLC2πf0=1072π*13.56*106 1.3μHICM1≥VCMR0=VCC-VCE(SAT)R0=9 - 110.7= 0.74 A 选取θC=70°：α0(70°) = 0.253 α1(70°) = 0.436iCMAX=ICM1α1(70°)=0.740.436= 1.75 AIC0=iCMAX*α0(70°) = 1.75*0.253 = 0.43 APDC=VCCIC0= 9*0.43 = 3.9 VPC=PDC-P0= 3.9 - 3 = 0.9 Wη=P0PDC=33.9 77% 集电极与发射极击穿电压URCEO≥2VCC，即：URCEO≥18 V所以选用三极管3DA106A型。图3 丙类放大电路（2）阻抗变换网络如图4所示。
图4 阻抗变换网络选用阻抗变换网络主要有2个作用：①滤波作用 可以滤除高频脉冲电流中的谐波分量只输出要求信号频率的电压和功率。②阻抗匹配作用 通过振荡回路阻抗的调节，可使振荡回路呈现高频功率所要得最佳阻抗值，从而使高频功放以高效率输出最大功率[4]。
通过并联L1C1回路实现谐振、选频滤波， LC谐振回路工作频率变化不大，带宽范围相对很窄，一般选频放大器的频带Δf与中心频率f0之比从百分之零点几到百分之十左右可知，取Δf/f0=1%，则：BW= 2Δf= 2*f0*1%= 2*13.56*106*1% = 0.271 2 MHZ对应品质因数：Q0=f0BW=13.56*1060.271 2*106= 50 因此L1和C1谐振时：XL=RLQ0=5050= 1ΩL1=XL2πf0=12π*13.56*106= 0.01μHXC1=RLQ0=5050= 1ΩC1=12πf0XC1=12π*13.56*106*1= 0.01μF 由于流过负载RL上的电流为：IL=P0/PL= 3/50 = 0.244 A 则回路线圈应承受的电流峰值为：IL1=Q*2IL= 50*2*0.244 = 17.3 A 其次考虑阻抗变换采用高通L网络将50Ω负载变换为放大器要求的最佳负载10.7Ω，则： Q=RL/R0- 1 = 50/10.7 - 1 = 2 L=RLW0Q=RL2πf0R0=502π*13.56*106*2= 0.29μH C2=1W0QR0=12πf0Q0R0 =12π*13.56*106*2*10.7 = 550 pF完整的电路图中L是电感L1与L2并联的总电感L=L1L2L1+L2=0.01*0.290.01 + 0.29= 0.009 7μH (3)包络检波电路如图5所示。其具体参数如下：①RC≥5 ~ 10W0，取：RC≥5W0=52πf0=52*3.14*13.56*e6= 0.06*106②取Ma= 0.3,RC≤1 -Ma2MaΩMAX,2ΩMAX=BW，ΩMAX=12BW=12*0.272 MHz = 0.136 MHzRC≤1 - 0.320.3*0.136*10-6=1 - 0.090.3*0.136*10-6= 4.77*10-3取R= 5 kΩ，C= 10 pF,。
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