众文网1.硅片的工艺
切割线直径
更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。
荷载
每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量 。
切割速度
切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。
易于维护性
线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总体的生产力就越高。
生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到最大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。 然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。
硅片厚度也是影响生产力的一个因素，因为它关系到每个硅块所生产出的硅片数量。超薄的硅片给线锯技术提出了额外的挑战，因为其生产过程要困难得多。除了硅片的机械脆性以外，如果线锯工艺没有精密控制，细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生负面影响。超薄硅片线锯系统必须可以对工艺线性、切割线速度和压力、以及切割冷却液进行精密控制。
无论硅片的厚薄，晶体硅光伏电池制造商都对硅片的质量提出了极高的要求。硅片不能有表面损伤（细微裂纹、线锯印记），形貌缺陷（弯曲、凹凸、厚薄不均）要最小化，对额外后端处理如抛光等的要求也要降到最低。 现况
为了满足市场对于更低成本和更高生产力的要求，新一代线锯必须提升切割速度，使用更长的硅块从而提高切割荷载。更细的切割线和更薄的硅片都提升了生产力，同时，先进的工艺控制可以管理切割线拉力以此保持切割线的牢固性。
使用不止一组切割切割线是在保持速度的前提下提高机台产量的一个创新方法。应用材料公司最新的MaxEdge 系统采用了独特的两组独立控制的切割组件。
MaxEdge是业界第一个专门设计使用细切割线的线锯系统 ，最低可达到80μm。相对于业界领先的应用材料公司HCT B5线锯系统，这些改进减少了硅料损失使产量提高多达50%。
更高生产力的线锯系统在同样的硅片产量下可以减少机台数量。因此，制造商可以大幅降低设备、操作人员和维护的成本。
降低硅片的消耗量也就是直接降低了太阳能电力的每瓦成本。
线锯产品市场
硅片供应商和希望自己控制切片工艺的整合晶体硅光伏组件生产商都需要使用线锯设备。单晶硅和多晶硅光伏技术都需要使用到它。
大多数光伏线锯设备是硅片供应商购买的。他们一般生长硅锭或者硅块、将硅原料切合处理成硅片，最终销售给光伏电池制造商用于制造电池。业界最成功的应用材料公司HCT B5线锯系统的装机量超过500台，是光伏切片领域的标杆产品。
结论
在光伏领域，线锯技术的进步缩小了硅片厚度并降低了切割过程中的材料损耗，从而减少了太阳能电力的硅材料消耗量。（因此，线锯技术对于降低太阳能每瓦成本并最终促使其达到电网平价起到了至关重要的作用。最新最先进的线锯技术带来了很多创新，提高了生产力并通过更薄的硅片减少了硅材料的消耗。
2.请问谁有多晶硅还原工艺的论文
改良西门子法多晶硅还原新技术研究进展摘要：在日益激烈的国际竞争环境下，传统改良西门子法多晶厂商发展成本更低的替代技术势在必行。
本文简单介绍了国外公司的三氯氢硅流化床技术和气液沉积法技术；其中三氯氢硅流化床技术能充分利用现有改良西门子法的全部产品流程，对改良西门子法多晶厂商更具参考意义。关键词：三氯氢硅；粒状多晶硅；还原；流化床；气液沉积随着国际多晶硅市场趋于理性化，多晶硅行业暴利不再，国内外各多晶硅厂家不得不将生产的重心从扩大产能，提高产量上放回到提高质量、降低成本上。
颗粒多晶硅以低廉的成本，较低的能耗拥有无与伦比的优势。颗粒多晶硅的主要生产技术有：①硅烷流化床法[1]：此方法通过不同途径制得高纯度的硅烷气体，将制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应器内进行连续的热分解反应，生成粒状多晶硅产品，因参加反应的硅表面积大，故生产效率高，电耗较低，成本低；但其生产安全性差，危险大，产品纯度不高。
②等离子法[2]：此法由德国Frankfurt大学Auner教授发明，原名叫City Solar Process。由沙子（SiO2）与HCl在碳作为热源条件下转换为SiCl4，生成的其余产物CO和H2在后面的发应过程可被再利用。
SiCl4很容易精馏提纯，提纯后的SiCl4在等离子发应器中，通过加入H2形成过氯聚合SiH4，这是一种链状或环状硅化合物；H2与分解的Cl原子化合形成盐酸。过氯聚合SiH4在高温下形成Si和SiCl4，可重复以上过程循环生产。
等离子法得到的Si成面粉状，需要气体保护以避免氧化，其优点在于Si的纯度仅仅依赖SiCl4的纯度。目前，该技术还处于实验室阶段。
③三氯氢硅流化床法[3]：以三氯氢硅为含硅原料气，通入加有小颗粒硅粉的流化床反应器内进行连续的气相化学沉积，生成粒状多晶硅产品。④气液沉积法[4]：以三氯氢硅为含硅原料气，加入到高温石墨管上，生成液体硅再凝固成粒状多晶硅产品。
目前，80%的多晶硅生产厂家是以改良西门子法进行生产，对于改良西门子厂家，发展替代多晶硅技术，最好是发展以三氯氢硅为含硅原料气的三氯氢硅流化床法和气液沉积法，其中以三氯氢硅流化床法最适合，其充分利用现有改良西门子法的全部产品流程，可以形成以传统改良西门子法生产沉积硅棒和三氯氢硅流化床法生产颗粒硅两套生产系统。下文重点介绍三氯氢硅流化床法和气液沉积法。
1三氯氢硅流化床法采用三氯氢硅流化床法的主要是某国外公 司，其在2007年初投建的500T每年颗粒硅早已投产，技术比较成熟。其反应效率为65%，电耗40kWh/kg，连续运转在700h以上。
1.1流程简介流化床反应器如图1所示，使用石英做衬垫，外包不锈钢材料形成冷却夹套，流化床垂直分离成加热区和反应区。三氯氢硅和氢气的混合气体通过喷嘴高速喷入反应区，反应区加有小粒径硅粉作为晶种颗粒。
利用电阻加热器对加热区进行加热，加热区通过辐射方式将热量传递到反应区，在高温的反应区中，三氯氢硅和氢气在晶种颗粒表面进行还原反应，通过气相沉积在晶种表面生产颗粒状多晶硅。而产品颗粒硅又可通过粉磨系统，制取小粒径的晶种颗粒加入到流化床反应区中[3]。
1.2三氯氢硅流化床法和改良西门子法的比较从图2可以看到：氯氢硅流化床法利用到现有改良西门子法的全部产品流程，包括三氯氢硅合成工序、三氯氢硅精馏工序、尾气干法回收工序以及其他的公共工程。同改良西门子法比较，唯一改变的就是还原工序，从图2可以看出，使用三氯氢硅流化床法有以下好处：①通过使用流化床，连续生产过程取代了改良西门子法批次间歇生产。
②由于生成的直接是颗粒状多晶硅，省去了破碎和腐蚀两道工序，在用于直拉单晶硅生产中优势明显，特别是随着直拉单晶硅炉连续加料系统制造技术的发展及其在直拉单晶硅生产工艺上的应用，颗粒状多晶硅的优势更明显。③由于参加反应的颗粒硅晶种表面积大，沉积速度大幅提高，故生产效率高，大大减少了能源消耗，降低了成本。
1.3三氯氢硅流化床法的不足之处如图3所示，使用流化床进行化学气相沉积多晶硅时要面临几个基本问题：①加热方面：通过辐射传热，热损失相对较大，且存在对气体加热不均匀的问题；②由于颗粒硅表面积大，更容易引起沾污，如炉壁重金属元素污染等；③在高温下，三氯氢硅会形成小颗粒馏分灰尘在尾气中排放，既对尾气回收系统造成影响，又造成原料损失；④由于炉壁温度较高，容易在炉壁产生沉积。 1.4三氯氢硅流化床法特点三氯氢硅流化床法具有以下特点：①利用SiHCl3代替SiH4作为含硅的原料气， 既减少灰尘产生，又一定程度改善产品颗粒硅的外部形貌；.②通过SiHCl3定点喷射入反应区，使含硅的原料气和晶种颗粒充分接触，提高了沉积速度；③将流化床垂直分离成加热区和反应区，通过辐射传热将热量传递到反应区，较好地解决了 反应器内的温度分布问题；④在加热区使用优良的石英衬垫；⑤利用现有的全部产品流程，使传统改良西门子法和三氯氢硅流化床法能很好的兼容。
2气液沉积法气液沉积法以日本公司为代表，开始时以10吨试验线运行，2005-2006年间建成200T每年生产试运。
3.多晶硅生产工艺流程
1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，
其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
(2)为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅（SiHCl3）。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н2，НС1,SiНС13,SiC14,Si）。
(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。
(4)净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2，НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该3工艺的竞争力。
4.多晶硅的生产工艺流程
多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅
福建连城县龙威硅业有限公司 公司描述： 福建连城县龙威硅业有限公司 公司位于国家级风景名胜区冠豸山所在的连城县北团镇，距离龙岩冠豸山机场12KM，距离赣龙铁路冠豸山火车站36KM，国道205线和319线穿境而过，交通便利。当地。。 主营产品： 金属硅 多晶硅 硅粉 光伏硅 电子硅 单晶硅 张家港市日晶科技有限公司 公司描述： 本公司主要生产经营6N以上原生多晶硅及单晶硅棒，单晶硅片，太阳能电池.本公司拥有高级工程师数名，任职于化工部多家设计院，可帮助全球企业建设改良西门子法多晶硅工厂.并出售相关专利技术与生产工。。 主营产品： 多晶硅 单晶硅片 单晶硅棒 太阳能电池 IC晶圆 IC废料 红外线鼻灯 鼻炎 LED 厦门盛建工贸有限公司 公司描述： 厦门盛建工贸有限公司位于福建厦门市，本公司主要生产金属硅、4N、5N多晶硅等产品。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！&nbs。。 主营产品： 金属硅 多晶硅 陕西白水新力硅业有限责任公司 公司描述： 陕西白水新力硅业有限责任公司生产企业位于陕西白水，我们的销售公司位于上海上海市浦东新区，主营硅产品等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优。。 主营产品： 硅产品 多晶硅 高纯硅粉 有痕（北京）硅锗半导体材料有限公司 公司描述：有痕（北京）硅锗半导体材料有限公司成立于2004年8月22日，位于国家高新技术开发区北京市海淀区上地信息产业基地内，是一家以半导体材料生产及加工为主的高新技术企业，提供的产品主要3N、4N、5N、6N多晶硅、高纯SiC。。 主营产品： 多晶硅 二氧化锗 四氯化锗 福建省宁化宏凌硅业有限公司 公司描述： 福建省宁化宏凌硅业有限公司，位于福建省三明市宁化县湖村镇石下村，始建于2000年，总投资1000万元人民币，占地面积5000平方米，是一家专业生产多晶硅高纯材料的高科技产品生产企业。公司以科学发。。 主营产品： 金属硅 多晶硅
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1999年微电子学研究所发表的学术论文 一、器件研究室 锗硅微波功率异质结双极晶体管 张进书，贾宏勇，陈培毅 中国电子学，11,1999 我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺，并研制成功适合微波功率应用的SiGe异质结双极晶体管（HBT）。
其电流增益为50-320，收集极和发射极击穿电压分别达到28V和5V。在共发射极接法及C类工作条件下，连续波功率输出达5W，收集极转换效率为63%，在此基础上900M赫下工作，功率增益达7。
4dB。 用于通信领域中的MEMS器件 刘泽文，李志坚，刘理天 电子科技导报，7, 1999 微电子机械系统（MEMS）技术在未来的通信领域中有着广泛的应用，本文介绍了若干个用于通信线路中的MEMS器件。
如微电容、微电感、微谐振器、滤波器、微开关等的典型结构形式及其主要性能。 用等离子体干法刻蚀制作用于淀积玻英合金微结构阵列的P-硅微模具 刘泽文，刘理天，谭智敏，王晓慧，李志坚 第二届亚欧等离子体表面工程国际会议，1999。
9，北京 本文给出了一种利用等离子体干法刻蚀在P型硅上制作微模具，然后通过电化学方法填充模具。 从而获得玻莫金属（80%镍、20%铁）微结构的方法。
微结构玻莫合金作为一种软磁性材料在MEMS研究中有广泛的用途。为了获得100mm*100mm横向尺寸的微结构，首先用等离子体方法在已形成掩膜图形的硅片上刻出方型深槽。
利用CF4和SF6相混合作为腐蚀气体。 10分钟即可获得10mm的深槽，该工艺显示出对单晶硅有较高的刻蚀速度。
随后把深槽作为模具进行选择性电沉淀。为了实现电解质和硅电极之间的电荷移动，对方槽的底部进行了硼原子掺杂，并利用一特殊夹具。
这样直流电镀电流便可以从硅片的背面加入到被镀基底上，从而获得高度均匀一致的微结构。 利用该方法已经成功地获得具有高磁导率（1700）的玻莫合金微结构。
高性能双轴微加速度传感器制作研究 刘泽文，刘理天，李志坚 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999。10，北京 本文给出了将IC工艺与LIGA工艺相结合，在硅基材料上以镍金属为结构材料制作高性能微加速度传感器的研究结果。
由于采用了金属材料，器件在较小的尺寸下可获得较高的灵敏度。采用特殊的结构形成，可使器件处于最佳阻尼状态。
制作过程主要包括厚胶光学光刻，淀积电镀种子层，电化学淀积牺牲层、X射线曝光。 背面对准X射线光刻掩膜制作研究 刘泽文、刘理天、李志坚 10th National annual conference on electron beam, ion beam and photon beam, Nov。
1999, Changsha, Hunan 深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。由于大多数LIGA掩模支撑膜的光学不透明性，很难进行需要重复对准的多次曝光。
我们通过使用背面对准X射线光刻掩膜，很好地解决了这一问题。给出了该掩膜制作工艺的研究结果。
整个过程包括沉淀氮化硅、UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用Karl Suss双面对准曝光机，可获得2mm的对准精度。
台面结构硅光电集成微马达的设计 齐臣杰，谭智敏，刘理天，李志坚 清华大学学报，39(S1),1999。 4 为了解决凸极法兰盘结构的静电晃动微马达寿命短和测速困难的问题，提出了一种台面结构的光电集成晃动微马达。
用单晶硅台面法兰盘代替悬浮的厚1。1 mm的多晶硅法兰盘，它具有机械强度高、摩擦系数小、抗磨损、不塌陷等优点。
马达的轴也用实心轴取代2 mm空心轴，克服了轴因磨损和受力而变形的问题。 使得马达的寿命大大提高。
另一方面，在马达上还集成了光电测速电路，可以精确测量马达转速。并且还可以形成闭环控制系统，或用作斩光器，成为真正的微机械子系统。
新型马达工艺简单，与IC工艺完全兼容，可批量制作。 光电集成测速硅静电微晃动马达 齐臣杰，候 ？أ趵硖？ 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999。
10，北京 本文采用微马达与光电二极管一起集成，组成光电测速系统。在马达转子下面集成几个光电二极管，利用反偏二极管的暗电流和亮电流的变化来测量马达的转速。
它提高了马达的测速范围，解决了视频摄象测速系统测速低的问题。此外，它还具有测试方便，工艺兼容、准确等优点。
还可以制成斩光器。成为光、机、电的MEMS系统。
铁电-硅微集成系统（FSMIS） 李志坚，任天令，刘理天 半导体学报，20(3),1999 铁电-硅微集成系统FSMIS是铁电材料与硅工艺相结合的产物，在微电子机械系统（MEMS），存储器等多方面具有极为重要的应用价值。 本文介绍了几种重要的硅基铁电膜的几种典型的FSMIS应用方向，并对FSMIS领域的未来发展作出展望。
铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究 任天令，刘理天，李志坚 清华大学学报，39(S1), 1999 目的是为实现高灵敏度的集成化的微麦克风和扬声器奠定基础。 利用锆钛酸铅 （PZT） 铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将PZT铁电薄膜与硅工艺相结合，研制悬臂式铁电-硅集成微麦克风和扬声器。
利用双膜片模型对PZT振膜结构进行了优化设计，并对其工艺流水过程进行了初步设计，从而为集成微麦克风和扬声器的最终实现奠定了设计基础。 铁电-硅集成微麦克风和扬。
6.关于硅片制作的过程
硅片的等级：MG-Si → SeG-Si → SoG-Si提炼要经过一下过程：石英砂→冶金级硅→提炼和精炼→沉积多晶硅锭→单晶硅→硅片切割。
冶金级硅MG-Si 提炼硅的原始材料是SiO2，主要是砂成分，目前采用SiO2的结晶岩即石灰岩，在大型的电弧炉中用碳还原：SiO2+2C→Si+2CO定期倒出炉，用氧气、氧氯混合气体提纯，然后倒入浅槽在槽中凝固，随后被捣成块状。MG-Si提纯为SeG-Si提炼标准方法为：西门子工。
MG-Si被转变为挥发性的化合物，接着采用分馏的方法将其冷凝被提纯。工艺程序：用Hcl把细碎的MG-Si变成流体 使用催化剂加速反应进行：Si+3Hcl→SiHcl3+H2 MG-Si →SiHcl3 硅胶工业原材料为提取MG-Si可加热混合气体使SiHcl3 被H2还原，硅以细晶粒的多晶硅形成沉积到电加热棒上如右：SiHcl3+H2 →Si+3HclSeG-Si提纯到SoG-Si将SeG-Si多晶硅熔融，同时加入器件所需的微量参杂剂，通常采用硼（P型参杂剂）。
在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够成熔融的硅中拉出大圆柱形的单晶硅棒。直径过125cm长度为1~2m。
手工录入，忘采纳，有追问亦可。
7.单晶硅,多晶硅生产流程
其实现在多晶硅生产方法有好几种的，给你附一张最主流的改良西门法生产多晶硅的流程（推荐一个论坛：海川化工论坛 ）: 1 、氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。
电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。
净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。
出氧气贮罐的氧气送去装瓶。气液分离器排放废吸附剂、氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、干燥器有废吸附剂排放，均供货商回收再利用。
2、氯化氢合成工序从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。
从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。
出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。
该系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。
必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。
3、三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。
供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。
在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量放热。
合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部分硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗涤，气体中的部分细小硅尘被洗下；洗涤同时，通入湿氢气与气体接触，气体所含部分金属氧化物发生水解而被除去。
除去了硅粉而被净化的混合气体送往合成气干法分离工序。 4、合成气干法分离工序从三氯氢硅氢合成工序来的合成气在此工序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。
三氯氢硅合成气流经混合气缓冲罐，然后进入喷淋洗涤塔，被塔顶流下的低温氯硅烷液体洗涤。气体中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗涤液中。
出塔底的氯硅烷用泵增压，大部分经冷冻降温后循环回塔顶用于气体的洗涤，多余部份的氯硅烷送入氯化氢解析塔。出喷淋洗涤塔塔顶除去了大部分氯硅烷的气体，用混合气压缩机压缩并经冷冻降温后，送入氯化氢吸收塔，被从氯化氢解析塔底部送来的经冷冻降温的氯硅烷液体洗涤，气体中绝大部分的氯化氢被氯硅烷吸收，气体中残留的大部分氯硅烷也被洗涤冷凝下来。
出塔顶的气体为含有微量氯化氢和氯硅烷的氢气，经一组变温变压吸附器进一步除去氯化氢和氯硅烷后，得到高纯度的氢气。氢气流经氢气缓冲罐，然后返回氯化氢合成工序参与合成氯化氢的反应。
吸附器再生废气含有氢气、氯化氢和氯硅烷，送往废气处理工序进行处理。出氯化氢吸收塔底溶解有氯化氢气体的氯硅烷经加热后，与从喷淋洗涤塔底来的多余的氯硅烷汇合，然后送入氯化氢解析塔中部，通过减压蒸馏操作，在塔顶得到提纯的氯化氢气体。
出塔氯化氢气体流经氯化氢缓冲罐，然后送至设置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢缓冲罐；塔底除去了氯化氢而得到再生的氯硅烷液体，大部分经冷却、冷冻降温后，送回氯化氢吸收塔用作吸收剂，多余的氯硅烷液体（即从三氯氢硅合成气中分离出的氯硅烷），经冷却后送往氯硅烷贮存工序的原料氯硅烷贮槽。 5、氯硅烷分离提纯工序在三氯氢硅合成工序生成，经合成气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的原料氯硅烷贮槽；在三氯氢硅还原工序生成，经还原尾气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽；在四氯化硅氢化工序生成，经氢化气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的氢化氯硅烷贮槽。
原料氯硅烷液体、还原氯硅烷液。
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