众文网1.寻求一份完整的激光切割机论文
计算机控制三D光电跟踪激光切割机设计摘 要： 光电跟踪切割机由于具有性能稳定、坚固耐用、效率高、易操作、切割精确度高、生产成本低等特点而在各种精密机加工方面得到广泛应用。
但是目前的光电切割机只能进行二维图纸扫描，按照图纸进行二维切割。如德国梅塞一格里斯海姆公司的KS26/3100直角坐标式光电跟踪切割机就只能进行二维切割。
本文设计一种全新的三维光电跟踪切割机是利用摄像技术的一种全新理念的计算机控制三维动态的光电控制切割机。[著者文摘]关键词： 三维动态 光电跟踪 计算机控制 切割机。
2.论文 关于半导体应用前景 字数2000至少 高分悬赏
以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。
非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975 年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。
同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。
非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。
利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。具有半导体性质的非晶态材料。
非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，当时很少有人注意，直到1968年S.R.奥弗申斯基关於用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。
1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和莫脱， N.F.建立了非晶态半导体的电子理论，并因而荣获1977年的诺贝尔物理学奖。
目前无论在理论方面，还是在应用方面，非晶态半导体的研究正在很快地发展著。分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶态半导体。
例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷却或汽相沉积。四面体键非晶态半导体。
如非晶Si、Ge、GaAs等，此类材料的非晶态不能用熔体冷却的办法来获得，只能用薄膜淀积的办法（如蒸发、溅射、辉光放电或化学汽相淀积等），只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件密切相关。
图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数给出了不同制备工艺的非晶硅光吸收系数谱，其中a、b制备工艺是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K和300K,c制备工艺是溅射，d制备工艺为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备工艺密切相关。
其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H，有时又称为非晶的硅氢合金；不同工艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。
图2 汽相淀积溅射薄膜和熔体急冷成块体AsSeTe的光吸收系数谱给出了一个典型的实例，用熔体冷却和溅射的办法制备的AsSeTe样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。非晶态半导体的电子结构非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带（见固体的能带）。
材料的基本能带结构主要取决於原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应於价带；反键态对应於导带。
无论是Ge、Si的晶态还是非晶态，基本结合方式是相同的，只是在非晶态中键角和键长有一定程度的畸变，因而它们的基本能带结构是相类似的。然而，非晶态半导体中的电子态与晶态比较也有著本质的区别。
晶态半导体的结构是周期有序的，或者说具有平移对称性，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称性相联系的量子数，非晶态半导体不存在有周期性，不再是好的量子数。晶态半导体中电子的运动是比较自由的，电子运动的平均自由程远大於原子间距；非晶态半导体中结构缺陷的畸变使得电子的平均自由程大大减小，当平均自由程接近原子间距的数量级时，在晶态半导体中建立起来的电子漂移运动的概念就变得没有意义了。
非晶态半导体能带边态密度的变化不像晶态那样陡，而是拖有不同程度的带尾（如图3 非晶态半导体的态密度与能量的关系所示）。非晶态半导体能带中的电子态分为两类：一类称为扩展态，另一类为局域态。
处在扩展态的每个电子，为整个固体所共有，可以在固体整个尺度内找到；它在外场中运动类似於晶体中的电子；处在局域态的每个电子基本局限在某一区域，它的状态波函数只能在围绕某一点的一个不大尺度内显著不为零，它们需要靠声子的协助，进行跳跃式导电。在一个能带中，带中心部分为扩展态，带尾部分为局域态，它们之间有一分界处，如图4 非晶态半导体的扩展态、局域态和迁移率边中的和，这个分界处称为迁移率边。
1960年莫脱首先提出了迁移率边的概念。如果把迁移率看成是电子态能量的函数，莫脱认为在分界处和存在有迁移率的突变。
局域态中的电子是跳跃式导电的，依靠与点阵振动交换能量，从一个局域态跳到另一个局域态，因而当温度趋向0K时，局域态电子迁移率趋於零。扩展态中电子导电类似於晶体中的电子，当趋於0K时，迁移率趋向有限值。
莫脱进一步认为迁移率边对应於电子。
3.寻求一份完整的激光切割机论文
计算机控制三D光电跟踪激光切割机设计摘 要： 光电跟踪切割机由于具有性能稳定、坚固耐用、效率高、易操作、切割精确度高、生产成本低等特点而在各种精密机加工方面得到广泛应用。
但是目前的光电切割机只能进行二维图纸扫描，按照图纸进行二维切割。如德国梅塞一格里斯海姆公司的KS26/3100直角坐标式光电跟踪切割机就只能进行二维切割。
本文设计一种全新的三维光电跟踪切割机是利用摄像技术的一种全新理念的计算机控制三维动态的光电控制切割机。[著者文摘]关键词： 三维动态 光电跟踪 计算机控制 切割机。
4.论文中的一段英文,请高手帮助翻译200分求助
几个术语不懂.希望有用.：）Although the research, development and manufacturing applications of lithography simulation presented above give ample benefits of modeling based on time, cost and capability, the underlying power of simulation is its ability to act as a learning tool. 尽管如上所述，仿真平板印刷术在研究，发展，制造应用方面的优点已经通过时间，成本，性能三方面举例论证了.但是，仿真的潜力却是在作为学习工具的能力上面。
Proper application of modeling allows the user to learn efficiently and effectively.在模拟方面的适当运用能让使用者更得心应手. There are many reasons why this is true.有几大原因可以解释这一点。 First, the speed of simulation versus experimentation makes feedback much more timely.第一，和实验相比，仿真的反馈速度更及时。
Since learning is a cycle (an idea, an experiment, a measurement, then comparison back to the original idea), faster feedback allows for more cycles of learning.由于学习是个循环（一种思想，实验，测量法，和原始的比对）更迅速的反馈可以赢得更多的学习周期。 Since simulation is very inexpensive, there are fewer inhibitions and more opportunities to explore ideas.而且仿真费用低廉，所以较少限制，有更多的机会尝试. And, as the research application has shown us, there are fewer physical constraints on what “experiments” can be performed.正如调查应用中的结果显示给我们的一样，对什么类型实验有了更少的物理限制. All of these factors allows the use of modeling to gain an understanding of lithography. 以上所有这些对仿真技术的应用使得我们对平板印刷术的有了进一步的了解.Whether learning fundamental concepts or exploring subtle nuances, the value of improved knowledge can not be overstated. 不管是学习基础理论原理或是探索物质的细微差别，改良知识的价值怎么评价也不过分。
In the sections that follow, the use of lithography simulation in manufacturing will be explored in much greater detail. 在下面这个部分，仿真平板印刷术在制造方面的应用将会有更重大的细节被发现。2. THE USE OF LITHOGRAPHY SIMULATION IN MANUFACTURING 2.在制造方面的仿真平板印刷术的应用A. Film Stack Optimization A.Film Stack最优化Film stack optimization is the most frequent use of lithography simulation in a manufacturing environment for a number of reasons.Film Stack最优化在制造业的环境中是最常会用到仿真平板印刷术的.有如下原因. First, film stacks frequently change in the fab and, other than the bottom antireflection coating (BARC) and resist, this film stack is not controlled by the photolithography group. 第一，在fab里film stacks经常改变，不同于底层的抗反射涂层和抗蚀剂，这个film stacks 不受光刻术的控制。
Thus, the lithography group must respond to these film stack changes with adjustments to the lithography process.因而，平板印刷术的集群必须要根据这些film stack 的变化来调整平板印刷的进程。 From a lithography standpoint, the most important film stack property is the reflectivity of the substrate. 从平板印刷的立场来说，film stack最重要的部分就是感光底层的反射率。
Unfortunately, there is no way to measure the reflectivity of the substrate when coated with resist (substrate reflectivity in air has no meaning for this application). 不理想的是，如果给涂上一层抗蚀[防腐]剂（对在空气中感光底层测量反射率没有意义。）就无法测量感光底层的反射率了。
Thus, all BARC optimization efforts require the use of simulation. 因而，所有BARC最优化的努力需要仿真技术的应用。In turn, this simulation requires accurate measurement of BARC optical parameters (thickness, n, & k).再者，这种仿真技术需要BARC光参数（厚度，N,&K）的精确测量.。
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