毕业论文逆变电源设计

1.急求

从教科书入手啊

有这样的论文，你们肯定有电力电子技术这门课程。所有东西都在这里边了。

先要知道逆变电源的原理，在心里得有一个逆变电源的框架，然后根据这个框架去扩展各部分的电路

驱动电路，开关元件，换能元件（变压器），输出检测电路，反馈电路

先只能说这么多了，你自己好好琢磨一下，有问题了继续追问，可别想着找现成的了。大学几年没学到什么东西，还不趁着这个机会多了解一些。以后工作用的到，听我的你不会后悔

2.电气专业的毕业论文设计

1、高压软开关充电电源硬件设计2、自动售货机控制系统的设计3、PLC控制电磁阀耐久试验系统设计4、永磁同步电动机矢量控制系统的仿真研究5、PLC在热交换控制系统设计中的应用6、颗粒包装机的PLC控制设计7、输油泵站机泵控制系统设计8、基于单片机的万年历硬件设计 9、550KV GIS中隔离开关操作产生的过电压计算10、时滞网络化控制系统鲁棒控制器设计11、多路压力变送器采集系统设计12、直流电机双闭环系统硬件设计 13、漏磁无损检测磁路优化设计14、光伏逆变电源设计15、胶布烘干温度控制系统的设计16、基于MATLAB的数字滤波器设计与仿真17、电镀生产线中PLC的应用18、万年历的程序设计19、变压器设计20、步进电机运动控制系统的硬件设计21、比例电磁阀驱动性能比较。

3.电气自动化毕业设计的论文

1、高压软开关充电电源硬件设计

2、自动售货机控制系统的设计

3、PLC控制电磁阀耐久试验系统设计

4、永磁同步电动机矢量控制系统的仿真研究

5、PLC在热交换控制系统设计中的应用

6、颗粒包装机的PLC控制设计

7、输油泵站机泵控制系统设计

8、基于单片机的万年历硬件设计

9、550KV GIS中隔离开关操作产生的过电压计算

10、时滞网络化控制系统鲁棒控制器设计

11、多路压力变送器采集系统设计

12、直流电机双闭环系统硬件设计

13、漏磁无损检测磁路优化设计

14、光伏逆变电源设计

15、胶布烘干温度控制系统的设计

16、基于MATLAB的数字滤波器设计与仿真

17、电镀生产线中PLC的应用

18、万年历的程序设计

19、变压器设计

20、步进电机运动控制系统的硬件设计

21、比例电磁阀驱动性能比较

22、220kv变电站设计

23、600A测量级电流互感器设计

24、自动售货机控制中PLC的应用

25、足球机器人比赛决策子系统与运动轨迹的研究

26、厂区35kV变电所设计

27、基于给定指标的电机设计

28、电梯控制中PLC的应用

29、常用变压器的结构及性能设计

30、六自由度机械臂控制系统软件开发

31 输油泵站热媒炉PLC控制系统设计

32 步进电机驱动控制系统软件设计

33 足球机器人的视觉系统与色标分析的研究

34 自来水厂PLC工控系统控制站设计

35 永磁直流电动机磁场分析

36 永磁同步电动机磁场分析

37 应用EWB的电子表电路设计与仿真

38 电路与电子技术基础》之模拟电子篇CAI课件的设计

39 逻辑无环流直流可逆调速系统的仿真研究

40 机器人足球比赛图像采集与目标识别的研究

41 自来水厂plc工控系统操作站设计

42 PLC结合变频器在风机节能上的应用

43 交流电动机调速系统接口电路的设计

44 直流电动机可逆调速系统设计

45 西门子S7-300PLC在二氧化碳变压吸附中的应用

46 DMC控制器设计

47 电力电子电路的仿真

48 图像处理技术在足球机器人系统中的应用

49 管道缺陷长度对漏磁场分布影响的研究

50 生化过程优化控制方案设计

51 交流电动机磁场定向控制系统设计

52 开关电磁阀流量控制系统的硬件设计

53 比例电磁阀的驱动电源设计

54 交流电动机SVPWM控制系统设计

55 PLC在恒压供水控制中的应用

56 西门子S7-200系列PLC在搅拌器控制中的应用

57 基于侧抑制增强图像处理方法的研究

58 西门子s7-300系列plc在工业加热炉控制中的应用

59 西门子s7-200系列plc在电梯控制中的应用

60 PLC在恒压供水控制中的应用

61 磁悬浮系统的常规控制方法研究

62 建筑公司施工进度管理系统设计

63 网络销售数据库系统设计

64 生产过程设备信息管理系统的设计与实现

总有一款适合你

4.逆变器如何设计变压器

逆变电源将直流电转化为交流，功率晶体管T1、T3和T2、T4交替开通得到交流电力，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。

对大容量的逆变电源，由人直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变电源中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。 中、小容量逆变电源一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种。

推挽电路，将升压变压器的中性抽头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电力，由于功率晶体管共地边接，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感，可限制短路电流，因而提高了电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力较差。

全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管T1、T4和T2、T3反相，T1和T2相位互差180度。调节T1和T2的输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之改变。

由于该电路具有能使T2和T4共同导通的功能，因而具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也不会畸变。该电路的缺点是上、下桥臂的功率晶体管不共地，因此必须采用专门驱动电路或采用隔离电源。

另外，为防止上、下桥臂发生共同导通，在T1、T4及T2、T3之间必须设计先关断后导通电路，即必须设置死区时间，其电路结构较复杂。 推挽电路和全桥电路的输出都必须加升压变压器，由于工频升压变压器体积大，效率低，价格也较贵，随着电力电子技术和微电子技术的发展，采用高频升压变换技术实现逆变，可实现高功率密度逆变，这种逆变电路的前级升压电路采用推挽结构，但工作频率均在20KHZ以上，升压变压器采用高频磁芯材料，因而体积小/重量轻，高频逆变后经过高频变压器变成高频交流电，又经高频整流滤波电路得到高压直流电（一般均在300V以上）再通过工频逆变电路实现逆变。

采用该电路结构，使逆变虬路功率密度大大提高，逆变电源的空载损耗也相应降低，效率得到提高，该电路的缺点是电路复杂，可靠性比上述两种电路低。 上述几种逆变电源的主电路均需要有控制电路来实现，一般有方波和正弱波两种控制方式，方波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。

正弦波输出是逆变电源的发展趋势，随着微电子技术的发民，有PWM功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。 1、方波输出的逆变电源目前多采用脉宽调制集成电路，如SG3525,TL494等。

实践证明，采用SG3525集成电路，并采用功率场效应管作为开关功率元件，能实现性能价格比较高的逆变电源，由于SG3525具有直接驱动功率场效应管的能力并具有内部基准源和运算放大器和欠压保护功能，因此其外围电路很简单。 2、正弦波输出的逆变电源控制集成电路 正弦波输出的逆变电源，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公司生产的80C196MC、摩托罗拉公司生产的MP16以及MI-CROCHIP公司生产的PIC16C73等，这些单片机均具有多路PWM发生器，并可设定上、上桥臂之间的死区时间，采用INTEL公司80C196MC实现正弦波输出的电路，80C196MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。

逆变电源的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。

5.逆变器如何设计变压器

逆变电源将直流电转化为交流，功率晶体管T1、T3和T2、T4交替开通得到交流电力，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。

对大容量的逆变电源，由人直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变电源中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。 中、小容量逆变电源一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种。

推挽电路，将升压变压器的中性抽头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电力，由于功率晶体管共地边接，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感，可限制短路电流，因而提高了电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力较差。

全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管T1、T4和T2、T3反相，T1和T2相位互差180度。调节T1和T2的输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之改变。

由于该电路具有能使T2和T4共同导通的功能，因而具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也不会畸变。该电路的缺点是上、下桥臂的功率晶体管不共地，因此必须采用专门驱动电路或采用隔离电源。

另外，为防止上、下桥臂发生共同导通，在T1、T4及T2、T3之间必须设计先关断后导通电路，即必须设置死区时间，其电路结构较复杂。 推挽电路和全桥电路的输出都必须加升压变压器，由于工频升压变压器体积大，效率低，价格也较贵，随着电力电子技术和微电子技术的发展，采用高频升压变换技术实现逆变，可实现高功率密度逆变，这种逆变电路的前级升压电路采用推挽结构，但工作频率均在20KHZ以上，升压变压器采用高频磁芯材料，因而体积小/重量轻，高频逆变后经过高频变压器变成高频交流电，又经高频整流滤波电路得到高压直流电（一般均在300V以上）再通过工频逆变电路实现逆变。

采用该电路结构，使逆变虬路功率密度大大提高，逆变电源的空载损耗也相应降低，效率得到提高，该电路的缺点是电路复杂，可靠性比上述两种电路低。 上述几种逆变电源的主电路均需要有控制电路来实现，一般有方波和正弱波两种控制方式，方波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。

正弦波输出是逆变电源的发展趋势，随着微电子技术的发民，有PWM功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。1、方波输出的逆变电源目前多采用脉宽调制集成电路，如SG3525,TL494等。

实践证明，采用SG3525集成电路，并采用功率场效应管作为开关功率元件，能实现性能价格比较高的逆变电源，由于SG3525具有直接驱动功率场效应管的能力并具有内部基准源和运算放大器和欠压保护功能，因此其外围电路很简单。2、正弦波输出的逆变电源控制集成电路 正弦波输出的逆变电源，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公司生产的80C196MC、摩托罗拉公司生产的MP16以及MI-CROCHIP公司生产的PIC16C73等，这些单片机均具有多路PWM发生器，并可设定上、上桥臂之间的死区时间，采用INTEL公司80C196MC实现正弦波输出的电路，80C196MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。

逆变电源的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。

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